圖2.1-1(a) HBM的ESD發生情形
圖2.1-1(b) 在不同HBM靜電電壓下，其靜電放電之電流與時間的關係
擦或其他因素在人體上已累積了靜電，當此人去碰觸到IC
時，人體上的靜電便會經由IC的腳(pin)而進入IC內，再經
由IC放電到地去，如圖2.1-1(a)所示。此放電的過程會在短
到幾百毫微秒(ns)的時 間內產生數安培的瞬間放電電流，
此電流會把IC內的元件 給燒毀。 不同HBM靜電電壓相對產
生的瞬間放電電流與時間的關係 顯示於圖2.1-1(b)。對一般
商用IC的2-KV ESD放電電壓而言，其瞬間放電電流的尖峰
值大約是1.33 安培。
圖2.1-1(b) 在不同HBM靜電電壓下，其靜電放電之電流與時間的關係
有關於HBM的ESD已有工業測試的標準，為現今各國
用來 判斷IC之ESD可靠度的重要依據。圖2.1-2顯示此工業
標準 (MIL-STD-883C method 3015.7)的等效電路圖，其中人
體的 等效電容定為100pF，人體的等效放電電阻定為1.5K
Ω。另 外在國際電子工業標準(EIA/JEDEC STANDARD)中
，亦對 此人體放電模式訂定測試規範(EIA/JESD22-A114-A)
，詳細 情形請參閱該工業標準。
| CLASSIFICATION | Sensitivity |
|---|---|
| Class 1 | 0 to 1,999 Volts |
| Class 2 | 2,000 to 3,999 Volts |
| Class 3 | 4,000 to 15,999 Volts |