圖2.3-1(a) Charged-Device Mode靜電放電可能發生的情形。
IC自IC管中滑出後，帶電的IC腳接觸接到地面而形成放電現象。
圖2.3-1(b)
Charged-Device Mode靜電放電可能發生的情形。
IC自IC管中滑出後，IC腳朝上，但經由接地的金屬工具 而放電。
圖2.3-2(a)
Charged-Device Model靜電放電的等效電路圖
圖2.3-2(b)
IC在各種角度下的等效雜散電容值
積了靜電，但在靜電累積的過程中IC並未被損傷。此帶有
靜電的IC在處理過程中，當其pin去碰觸到接地面時，IC內
部的靜電便會經由pin自IC內部流出來，而造成了放電的現
象。
此種模式的放電時間更短，僅約幾毫微秒之內，而且
放電現象更難以真實的被模擬。因為IC內部累積的靜電會
因IC元件本身對地的等效電容而變，IC擺放的角度與位置
以及IC所用的包裝型式都會造成不同的等效電容。由於具
有多項變化因素難定，因此，有關此模式放電的工業測試
標準仍在協議中，但已有此類測試機台在銷售中。該元件
充電模式(CDM) ESD可能發生的原因及放電的情形顯示於
圖2.3-1(a)與圖2.3-1(b)中。該元件充電模式靜電放電的等效
電路圖顯示於圖2.3-2(a)中。IC在名種角度擺放下的等效電
容值顯示於圖2.3-2(b)中，此電容值會導致不同的靜電電量
累積於IC內部。
圖2.3-1(b)
Charged-Device Mode靜電放電可能發生的情形。
IC自IC管中滑出後，IC腳朝上，但經由接地的金屬工具 而放電。
圖2.3-2(a)
Charged-Device Model靜電放電的等效電路圖
圖2.3-2(b)
IC在各種角度下的等效雜散電容值
比較，顯示於圖2.3-3中。其中，該1-KV CDM的放電電流
在不到1ns的時間內，便已衝到約15安培的尖峰值，但其
放電的總時段約在10ns的時間內便結束。此種放電現象更
易造成積體電路的損傷。
