理論的解析,如此在裝設時才能充分掌握問題之所在,另
一方面也才知道本設備所能應用的範圍在那裏。
一個晶圓量測型式(Wafer-Level)的傳輸線觸波產生器顯示在圖5.1-1中,由電磁波的理論分析來看,可分成兩部份,
一個是實際產生觸波的傳輸線區段,另一部份為傳送觸波
的傳輸線部份,其等效電路經過簡化後如圖5.1-2所示,而
其中電磁波在傳輸線中的傳送速度為
以下對這二個電路稍做說明,之後再對整個傳輸觸波產生
器的運作原理加以說明。
圖5.1-2
了使訊號不受干擾,因此使用同軸傳輸線傳送。此段迴路
由於負載阻抗與傳輸線阻抗不可能完全匹配,因而會造成
電磁波的反射,而其反射情形又因負載阻抗的大小而會造
成正向或反向的反射電磁波,這是由於反射係數是由負載
電阻(Load Resistance, Rd)及傳輸線特性阻抗(Characteristic
Resistance, R0)而定。反射係數定義為
當負載電阻大於傳輸線特性阻抗時,將造成正向的反射電
壓,在經過2L2 /u的時間後將傳至開關處,此反射電壓將進
入另一端電路,因而造成由L1段傳輸線所產的觸波並不會
在一個週期完成後馬上結束,而會呈階梯狀的波形產生。
以下接著討論L1傳輸線產生觸波的原理,以了解如何控制
觸波的寬度(即控制模擬靜電的能量),以及了解為何在負
載電阻大於傳輸線特性阻抗時會有階梯狀的波形產生。
Schottky二極體,而傳輸線的初始充電電壓 (V0)於儀器的設
計中不會大於其崩潰電壓,因此一開始可視為終端開路的
傳輸線。此段的電路分析,可參考圖5.1-3。圖5.1-3(a)的等
效電路可用圖5.1-3(b)來表示,又圖5.1-3(b)可以等效於圖5.
1-3(c)與圖5.1-3(d)的相加。其中圖5.1-3(c)之電路不會有暫
態行為,因此這電路的電磁波暫態行為主要由圖5.1-3(d)所
決定。在繼電器開關開啟後,會有一負電壓入射波進入 L1
傳輸線,而與原先初始充電電波做疊加(Superposition),而
使得電壓在L1傳輸線上成為
此電壓波以u的速度向兩側入射,當經 t = T1=L1/u 的時間
後到達終端,而由於終端為開路,反射係數為1,因此會
再產生一負電壓電磁波反射回開關處,在做疊加的結果剩
下
的電壓值。基本上在開關另一端的輸入阻抗約為R0,因此
這時的電壓值約為0,其電壓/電流波形如圖5.1-3(e)及圖5.1
-3(f)所示。
討論至此,可看出主要的觸波產生之時間為2T1,即觸波
的脈衝寬度為2L1 /u。所以,可用不同長度的 L1傳輸線產
生不同脈衝寬度的觸波。然而,若看整個晶圓量測型式的
傳輸線觸波產生器時,就必需考慮另一端的反射波所造成
的影響,以下討論整個傳輸線觸波產生器的運作原理。
一個如方程式(4)的電壓向兩側傳送,在右側電路( L2傳輸線
)所造之反射波是影響觸波的主要因素,當右側反射波進入
左側L1傳輸線後,若為負向反射波,則傳送至L1左側終端
時,會造成Schottky二極體正偏,此時只要終端電阻與 L1傳
輸線有匹配,將形成零反射,而終止反射波,其波形變化
可參考圖5.1-4。但右側反射波若為正向反射波時,其到達
L1終端時,此反射波依然會再一次的反射回來,從反射至
開關處算起,所經歷的時脈依然為2T1 ,所以此觸波產生
器所形成的波型為階梯狀的波形。
也因此欲得到較完整的方形觸波之條件為:
1、L2越短越好
2、待測元件之負載阻抗需小於傳輸線特性阻抗。
而要產生完整方形觸波的原因,是因為在量測時,二次崩
電流的量測不易判斷,若有較完整的方形觸波,有助於量
測上的精確判讀。原理了解清楚後,接著便著手進行傳輸
線觸波產生器的組裝。